HBM4E 실물 칩·4나노 베이스 다이 웨이퍼 공개…Vera Rubin 플랫폼 메모리 전반 공급 역량 강조

삼성전자 GTC 부스. 사진=삼성전자
 

삼성전자가 엔비디아의 연례 개발자 행사에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술을 공개하며 인공지능(AI) 인프라 시장 공략을 강화했다.

삼성전자는 현지시간 16일부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 ‘엔비디아 GTC’에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 엔비디아 ‘Vera Rubin’ 플랫폼을 지원하는 메모리 토털 솔루션 역량을 선보였다고 17일 밝혔다.

삼성전자는 전시장에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련하고 HBM4부터 메모리 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징 기술을 아우르는 반도체 역량을 강조했다. 또 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 엔비디아와 함께 AI 플랫폼을 구축하는 양사의 전략적 협력 관계도 부각했다.

이번 행사에서 삼성전자는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 기술을 기반으로 개발 중인 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다. HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 속도와 4TB/s 대역폭을 지원하는 차세대 AI 메모리로, 메모리와 로직 설계, 첨단 패키징 기술을 결합해 성능을 극대화한 것이 특징이다.

또한 열과 압력을 이용해 칩을 접합하는 기존 TCB 방식 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 차세대 패키징 기술 ‘HCB(Hybrid Copper Bonding)’도 소개했다. 삼성전자는 이를 통해 고성능 HBM 시대에 대응할 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

삼성전자 HBM4 제품. 사진=삼성전자
 

이와 함께 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’에 적용되는 HBM4 칩과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이 웨이퍼도 전면에 배치해 차세대 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 했다.

삼성전자는 특히 베라 루빈 플랫폼에 필요한 메모리와 스토리지를 모두 공급할 수 있는 ‘메모리 토털 솔루션’ 역량을 강조했다. 전시 부스에서는 루빈 GPU용 HBM4, 베라 CPU용 서버 메모리 모듈 SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시했다.

SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작한 제품이다. 또한 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼의 핵심 스토리지로, 삼성전자는 해당 SSD가 탑재된 서버를 통해 엔비디아의 SCADA 워크로드를 시연하며 AI 데이터 처리 성능을 직접 체험할 수 있도록 했다.

이 밖에도 AI 추론 성능과 전력 효율 향상을 위해 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에는 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다. CMX는 AI 추론 과정에서 생성되는 데이터를 GPU 메모리 밖의 스토리지로 확장해 활용하는 메모리 확장 기술이다.

삼성전자 HBM4E 전시. 사진=삼성전자
 

행사 둘째 날인 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 특별 초청을 받아 발표에 나선다. 송 센터장은 엔비디아 차세대 AI 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성전자의 메모리 토털 솔루션 비전을 소개할 예정이다.

삼성전자는 AI 데이터센터와 온디바이스 AI, 피지컬 AI 등 세 가지 전시 구역을 통해 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처도 함께 선보였다.

삼성전자 관계자는 “강력한 AI 인프라 구축을 위해서는 베라 루빈과 같은 차세대 플랫폼과 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션이 필수적”이라며 “엔비디아와의 협력을 통해 글로벌 AI 인프라 혁신을 지속적으로 이끌어 나갈 것”이라고 밝혔다.

<문화경제 황수오 기자>