전체 D램 시장에서 47%를 차지할 전망

삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트 DDR2 D램 개발에 성공, 인텔 인증마저 획득했다고 밝혔다. 올 3월 60나노급 1기가비트 DDR2 D램을 세계 최초로 양산한 삼성전자는 이미 양산 중인 512메가비트 D램을 포함해 2기가비트 제품까지 확보하게 됨으로써, 업계 유일하게 올해 말 DDR2 D램 전 제품을 60나노급 제품으로 양산 전환을 완료하게 된다. 이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대 속도인 667Mbps 대비 20% 정도 성능이 향상되어 800Mbps 구현이 가능하고, 생산성도 40% 이상 향상됐다. 이 제품은 8기가바이트 서버용 모듈(FBDIMM, RDIMM)과 워크스테이션, 데스크탑 PC, 노트북 PC 등에 탑재되는 4기가바이트 모듈(UDIMM, SODIMM) 등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공해 메모리 용량 확대를 가속화 시킬 것으로 예상된다. 또한 기존에 1기가 D램 36개로 구성된 4기가바이트 D램 모듈을 2기가 18개로 대체할 수 있기 때문에, 1기가 D램으로 구성된 모듈 대비 30% 이상 전력을 절감할 수 있고, 그에 따라 시스템 작동시 발열량을 줄이고 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다. 삼성전자는 60나노급 1기가 DDR2 D램을 필두로 올해 하반기부터 D램 시장 주요 제품을 기존 512메가에서 1기가로 전환을 주도하고 있으며, 이번에 개발한 60나노급 2기가 D램과 같이 기술 경쟁력을 바탕으로 한 고용량·고성능·고부가가치 제품을 통해 D램 시장을 주도해 나갈 계획이다. 한편 반도체 시장 조사기관인 가트너 데이터퀘스트에 따르면 세계 2기가 D램 시장은 올해부터 시장이 형성되어 2011년 140억 불 규모로 성장, 전체 D램 시장에서 47%를 차지할 것으로 전망된다. <조창용 기자>